异质结将成为下一代光伏主流技术

首先，利用PECVD在硅表面绒面形成后的N型单晶硅片背面沉积非常薄的本征硅钝化层和P型硅掺杂层；

其次，在硅片的正面沉积非常薄的本征硅钝化层和N型硅掺杂层，硅膜层沉积完成之后，再利用PVD磁控溅射镀膜技术在电池的正反两面沉积透明氧化物导电薄膜（TCO）及金属叠层；

最后，利用金属成栅技术于透明导电薄膜上制备双面金属电极，形成最终的对称的多层膜的叠层结构。

HDT电池结构共包含四层硅薄膜，其中P型和N型硅掺杂层分别作为电池的发射极和背电极场构建起电池内部电场，其厚度在5nm左右。

近年来，随着技术研究和量产的深入，异质结规模化生产在关键技术与装备上取得了突破性的进展。如钧石能源，在自主研发设备基础上，不断进行工序优化，整线工序只要五个工艺环节，即制绒/清洗、等离子增强化学气相沉积（PECVD）、磁控溅射（PVD）、金属成栅、后处理清洗/测试等，即可实现稳定的规模生产。

程序的简化，大大提升了制程的控制能力。

HDT电池结构共包含四层硅薄膜，其中P型和N型硅掺杂层分别作为电池的发射极和背电极场构建起电池内部电场，其厚度在5nm左右。在单晶硅片的正反面的本征硅层主要作用是钝化单晶硅表（注：单晶硅表面由于晶体长程有序结构破坏，产生大量界面缺陷），增加少子寿命，减少少子在界面处的复合。

HDT电池中的本征硅层其厚度在10nm以下，一般在5nm左右，而在传统的硅薄膜电池中，本征硅是作为电池的光吸收层，厚度一般在200nm～300nm之间，两者差别在50倍左右。

行业普遍认为，异质结电池技术是未来技术可持续提升并实现经济性量产的最合适技术。

异质结技术量产电池效率持续提高，并与现有量产电池技术拉大距离，在每瓦电池的发电能力和技术延展性上也体现了明显优势，很适合成为下一代高效太阳能电池的技术平台。